2SK3132(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | 2SK3132(Q) |
---|---|
Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 50A TO3P |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3P(L) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 25A, 10V |
Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-3PL |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Ta) |
Grundproduktnummer | 2SK3132 |
2SK3132(Q) Einzelheiten PDF [English] | 2SK3132(Q) PDF - EN.pdf |
2SK3130 TOS
MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM
2SK3136 RENESAS
RENESAS TO-263
2SK3133 H
2SK3140 R
VBSEMI TO-252
2SK3135-91STR HITACHI
2SK3132 TOSHIBA
2SK3128 TOS
2SK3131 Original
TOSHIBA TO-268
TOSHIBA TO-263
2SK3129 TOSHIBA
2SK3135 H
2SK3134 Original
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3133S H
MOSFET N-CH 30V 60A TO3P
2SK3126 TOSHIBA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 2SK3132(Q)Toshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|